一、二管

數字萬(wàn)用表二管檔開(kāi)路電壓約為2.8V，紅表筆接正，黑表筆接負，測量時(shí)提供電流約為1mA，顯示值為二管正向壓降近似值，單位是mV或V。硅二管正向導通壓降約為0.3~0.8V。鍺二管鍺正向導通壓降約為0.1~0.3V。并且功率大一些的二管正向壓降要小一些。如果測量值小于0.1V，說(shuō)明二管擊穿，此時(shí)正反向都導通。如果正反向均開(kāi)路說(shuō)明二管PN節開(kāi)路。對于發(fā)光二管，正向測量時(shí)二管發(fā)光，管壓降約1.7V左右。

二、三管

三管有兩個(gè)PN節，發(fā)射節（be）和集電節（bc），按測量二管的方法測量即可。在實(shí)際測量時(shí)，每?jì)蓚€(gè)管腳間都要測正反向壓降，共要測6次，其中有4次顯示開(kāi)路，只有兩次顯示壓降值，否則三管是壞的或是特殊三管（如帶阻三管、達林頓三管等，可通過(guò)型號與普通三管區分開(kāi)來(lái)）。在兩次有數值的測量中，如果黑表筆或紅表筆接同一，則該是基，測量值較小的是集電節，較大的是發(fā)射節，因為已判斷出基，對應可以判斷出集電和發(fā)射。同時(shí)可以判斷：如果黑表筆接同一，則三管是PNP型，如果紅表筆接同一，則三管是NPN型；壓降為0.6V左右的是硅管，壓降為0.2V左右的是鍺管。

三、可控硅：

可控硅陽(yáng)與陰及控制是開(kāi)路的，據此可以確定陽(yáng)管腳和判斷可控硅是否擊穿?？煽毓杩刂坪完庨g也是PN節，但是大功率可控硅控制和陰間有一個(gè)保護電阻，測量時(shí)顯示值為電阻上的壓降。

四、光耦

光耦的一側是發(fā)光二管，測量時(shí)壓降約1V左右，另外一側是三管，有的只引出c、e，測量正反向均截止，如果三個(gè)腳都引出，測量特性同上面三管（多為NPN管）。當用一個(gè)萬(wàn)用表使二管正向導通，此時(shí)用另外一塊萬(wàn)用表測三管c對e導通壓降約為0.15V；斷開(kāi)接二管的萬(wàn)用表，三管c對e截止，說(shuō)明該光耦是好的。